用于MicroLED應用的高通量激光剝離技術

簡要描述：microMIRA 激光剝離（LLO）系統(tǒng)可在高速加工條件下，實現(xiàn)晶圓上不同薄膜層高度均勻且無機械應力的剝離。由于氮化鎵（GaN）基MicroLED通常利用藍寶石襯底與其相似的晶體結構進行外延生長，因此大多數(shù)GaN基MicroLED都生長在藍寶石上。然而，從藍寶石這類透明且昂貴的材料上進行剝離是一項重大挑戰(zhàn)，只有激光技術才能在保證合理生產(chǎn)效率的前提下實現(xiàn)這一工藝。microMIRA 激光系統(tǒng)特別適

產(chǎn)品型號：microMIRA
廠商性質(zhì)：代理商
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更新時間：2026-01-09
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microMIRA 激光剝離（LLO）系統(tǒng)可在高速加工條件下，實現(xiàn)晶圓上不同薄膜層高度均勻且無機械應力的剝離。由于氮化鎵（GaN）基MicroLED通常利用藍寶石襯底與其相似的晶體結構進行外延生長，因此大多數(shù)GaN基MicroLED都生長在藍寶石上。然而，從藍寶石這類透明且昂貴的材料上進行剝離是一項重大挑戰(zhàn)，只有激光技術才能在保證合理生產(chǎn)效率的前提下實現(xiàn)這一工藝。microMIRA 激光系統(tǒng)特別適用于MicroLED顯示制造及半導體制造中，從玻璃和藍寶石襯底上剝離GaN層。

亮點

•無應力且極速的線光束激光加工

•基于熱-機械效應，實現(xiàn)無損傷加工

•全自動系統(tǒng)

•生產(chǎn)成本低

•可集成相鄰制造工序，提升晶圓廠整體生產(chǎn)效率

將藍寶石晶圓上的氮化鎵（GaN）通過激光剝離（LLO）轉移至石英、藍寶石或其他材料上
適用于	•microLED •miniLED •垂直結構 LED •LED
基板尺寸	•晶圓尺寸達 8” (200 mm)
激光源與光路系統(tǒng)	·采用準分子激光源，波長可根據(jù)客戶應用需求選擇（例如248 nm） •在樣品表面的線光束尺寸：205 mm × 0.33 mm（適用于8英寸晶圓）
吞吐量	•每小時可處理60片8英寸藍寶石基GaN晶圓（包含工藝及上下料時間，具體產(chǎn)能取決于系統(tǒng)配置和客戶工件）
定位系統(tǒng)	•精精度直驅(qū)Y軸和Z軸（可選配θ旋轉臺） •Y軸：定位精度 ±5 µm，重復定位精度 ±1.5 µm •Z軸：定位精度 ±3 µm，重復定位精度 ±1.5 µm
對準	•支持手動、半自動或全自動工件對準 •配備X、Y運動系統(tǒng)及光學測量系統(tǒng) •自動Z軸定位與表面形貌測繪
microMMI 軟件	•控制并監(jiān)控所有硬件組件及加工參數(shù) •多級用戶權限（管理員、主管、操作員） •數(shù)據(jù)輸入文件格式：DXF、CSV、Gerber、CLI，其他格式可按需提供
選配項	•光束分析與功率測量模塊 •解鍵合模塊 •質(zhì)量檢測模塊 •清洗模塊 •最多支持4個SMIF載片端口 •其他輔助模塊可根據(jù)需求提供
標準	•符合激光1類安全標準的防護外殼，集成控制面板 •配備認證激光觀察窗或全景攝像頭（網(wǎng)絡攝像頭） •潔凈室等級要求：上下料及正面區(qū)域 ISO 3，剝離工藝區(qū)及激光光路系統(tǒng) ISO 5 •可選配主動式排風系統(tǒng)
系統(tǒng)尺寸	尺寸：6,500 mm × 5,700 mm × 2,200 mm（含上下料系統(tǒng)和激光源）